AEC-Q100+JESD22-A110:车规HBM堆叠芯片HAST水汽腐蚀失效整改指南

​结合AEC-Q100车规规范与JESD22-A110 HAST标准,复盘车规HBM堆叠芯片TSV、铜柱键合水汽腐蚀失效根因,给出材料、封装、测试全链条整改落地方案。

AEC-Q100+JESD22-A110:车规HBM堆叠芯片HAST水汽腐蚀失效整改指南

很多自动驾驶存储研发团队在AEC-Q100认证摸底阶段,都会遇到一个共性问题:车规HBM堆叠芯片在HAST测试中出现电性漂移、铜柱微腐蚀、信号间歇性异常。这类样品往往能顺利通过常规双85湿热测试,但一上高压加速HAST工况就暴露隐性不良,直接影响车规认证进度。

和服务器机房恒温环境不同,车载机舱长期冷热交变、易凝露。HBM多层堆叠、TSV微孔、铜柱键合的特殊结构,极易让水汽渗入芯片夹层。设备带载工作时,水汽叠加偏压会引发电化学腐蚀,出现阻值偏移、读写不稳定等典型故障。对此,三木科技可以提供对应的解决方案。


车规 HBM 的水汽腐蚀为什么更难防

HBM 把多层芯片垂直叠起来,层间海量微小连接点让水汽容易钻入。车上温差大、偶尔结露,水汽从填充胶空隙渗进去,在电压下引发电化学腐蚀。堆叠结构会让一处腐蚀被层层放大,加剧芯片电性异常。


车规HBM通用HAST验证工况

行业普遍结合AEC-Q100分级与JESD22-A110标准落地测试:

  • 车载Grade0/1算力芯片采用130℃/85%RH、96h带偏压HAST。

  • Grade2座舱存储采用110℃/85%RH、264h加速验证。

  • 车规HAST核心要求全程无冷凝,避免出现假性失效误判。


HAST 加速测试暴露的腐蚀根因

车规标准 AEC-Q100 把带电压的 HAST 测试列为强制项:通常 130℃、85% 湿度、约 2.3 个大气压、连续 96 小时以上,样品全程带电。车规HBM失效问题主要集中在几类隐患:

  1. 填充胶没填实留空隙,变成水汽主通道;

  2. 互连通道侧壁的铜离子在电场下长出结晶,造成层间短路;

  3. 同时存在连接点水汽聚集分层、保护层小孔导致铝垫开路等隐性不良。


车规HAST测试对设备的核心要求

三木科技的HAST高压加速老化试验箱,可稳定维持车规无冷凝工况,温压湿联动精准匹配AEC-Q100分级剖面,支持HBM堆叠芯片长期带载测试,适配失效复现、整改对比与量产筛查。

目前高阶自动驾驶域控准入中,HAST高压加速筛选已是车规HBM核心验证项目。提前完成腐蚀整改与应力筛选,可有效缩短认证周期、降低量产售后失效风险。

如需了解更多,可以联系三木科技


研发实操答疑

1、为什么普通温湿测试发现不了 HBM 的腐蚀?

普通测试温压条件温和、样品不带电,水汽渗透速度慢,难以激发内层隐性腐蚀缺陷。HAST 通过高温、高湿、高压叠加带电应力,快速压缩老化周期,把数年湿热老化隐患在短时间内暴露出来。

2、填充胶空洞为什么这么难避免?

堆叠芯片层数多、缝隙窄,封装过程中填充胶容易裹挟气泡或填充不到位。这类空洞会形成稳定水汽通道,是车规HBM湿热失效的主要诱因,需要从胶材选材、点胶工艺到固化参数全程精细化管控。


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